Irrational Analysis 对近期 CPO/NPO 舆论噪音的反击：Nvidia 已将 NPO 方案从 TSMC COUPE 临时迁往 Tower Semi 的 SiPho 平台（根因是 TSMC 的 SiN PDK 拖延与 2D 光栅耦合器翻车）；Lumentum 的 UHP 激光器在 NPO 所需的严苛 RIN/线宽规格下几乎无敌，Coherent 已实质失败并仓促转向 MOPA；Ashkan Seyedi 转投 AMS OSRAM 实为押注其封装/集成能力做 scalable 的 VCSEL CPO。英文原文逐字 + 中文深度解读，并与本站激光/CPO 系列互链。
整理自 Damnang：把推理芯片市场拆成三大瓶颈（内存带宽 / 灵活性成本 / 部署与功耗），再用实测规格梳理 12 家创企如何作答，按内存阵营（SRAM 中心 / 低成本 DRAM / 分层 / HBM）深挖，最后看 Nvidia 与超大规模云厂如何上下夹击。英文原文 + 中文解读。
整理自 Silicon Codesign（Substack）的硅光入门技术文。免费公开部分系统拆解一条硅光收发链路（CPO 语境下 224 Gbps NRZ）的链路预算(link budget)：发射端功耗效率(pJ/bit)与 BER 指标、激光功率（双光子吸收导致的 Pout 饱和/钝化层熔融风险、对 PAM4 至关重要的 RIN）、连接器损耗（调制器损耗 / MPI / PDL）、接收端（响应度 / 暗电流 / 输入参考噪声 / TIA 增益 / 接收灵敏度 / THD）。真正的『眼图质量 FOM』『量产验证挑战（晶圆筛片 + 热稳定性 + NVIDIA 热调谐设计）』位于付费墙之后。英文原文（免费公开部分）+ 中文深度解读。
整理自 Viks Newsletter：CPO 超高功率(UHP) CW 激光器系列第 2 篇（判词篇）。市场 FUD 说 Lumentum 领先却少有人讲清工程难点与护城河。免费段拆『重新展宽(re-broadening)』两大机制（空间烧孔 + MQW 随机复合相位噪声），并给出 κL≈0.7 的甜点（相位平坦度覆盖近 200°）。真正的腔长工程、可靠性、模态稳定与『护城河不在 UHP 设计本身』的判词位于付费墙之后。英文原文（免费公开部分）+ 中文深度解读。
整理自 ChipStrat (Substack) 的免费入门系列第 3 篇：从可插拔→LRO/LPO 一路走到 CPO。拆解 NPO 与 CPO 的物理差异、XSR SerDes 省电逻辑、硅光引擎与外部 CW 激光如何取代 EML+DSP、可维护性与可靠性反直觉改善、以及价值链从 InP EML/DSP 向硅光/CW 激光/先进封装的迁移。英文原文（全文免费）+ 中文深度解读。
整理自 Damnang (Substack) 的 CPO 系列收官长文：方向正确（铜遇上物理极限、光是早晚的事）不等于当下可行。逐节拆解 scale-up/scale-out 双域、铜墙与功耗墙、热管理/封装良率/激光源/晶圆级光测试/光纤耦合六大瓶颈，以及代工厂（TSMC/GF/Tower）、集成方案（Broadcom/Marvell/Ayar/Lightmatter）与公司映射。英文全文 + 中文深度解读。
整理自 Viks Newsletter：CPO 超高功率(UHP) CW 激光器是供应链隐形 choke point，Lumentum 公认领先但工程难点少有人讲清。系列第 1 篇（基础篇）从第一性原理拆 InP DFB 激光器——多量子阱增益、自发/受激辐射、L-I 曲线与温度阈值，并指出 Lumentum 的优势可追溯到 2007 年 JDS Uniphase 的 DFB 设计（片上 600mW、出纤 350mW、线宽 <500kHz）。英文原文（免费公开部分，至 L-I 曲线）+ 中文深度解读。
整理自 Damnang：开源模型（DeepSeek/Qwen/Kimi K3）正快速吞噬中端 AI 工作量份额，市场担忧 hyperscaler 不再买芯片。文章用 OpenRouter 数据 + 前后端毛利拆解证明：企业切到自托管开源模型后，hyerscaler 的单位价格从 $25/M token 崩到 <$1，但净影响取决于『复用率』——真实证据显示预算被一个季度烧光、token 用量年增 5–7 倍，hyerscaler 实则受益。英文原文（免费公开部分）+ 中文深度解读。
整理自 PhotonCap 付费专栏：台积电在交换机 CPO 领先（Broadcom TH6-Davisson 送样、NVIDIA Quantum-X Photonics 出货），但赛点正从交换机移向『XPU-HBM 封装内光 I/O』。拆解 10→5→2 pJ/bit 能量阶梯、三星 2.xD 三合一封装、多 die 良率惩罚，以及内存阵营（SK hynix）的三路进军。英文原文（第 1–3 节免费部分）+ 中文深度解读。
整理自 Chad Wallace（Silicon Co-Design, Substack）的技术科普：从 PTAT 与 CTAT 电压的一阶温度抵消出发，拆解 Brokaw 带隙基准的推导、SPICE 仿真（温漂/线性调整率/PSRR/失配）、曲率校正与启动电路，并附一段工程师带隙设计竞赛的趣事。英文原文 + 中文深度解读。全文免费。