芯片内部长什么样?Birdman86 Die Shot 图鉴的交互式导航指南
通过可搜索、可筛选的芯片家族地图,快速进入 Birdman86 在 Wikimedia Commons 整理的 CPU、DSP、MCU、图形与控制芯片裸片照片。
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一篇连续阅读的交互式长文,用 26 个实验统一理解 Fourier、卷积、Laplace、极点零点、DFT 与 Z 变换在信号与系统中的关系。
不背刻度,从双线性变换出发理解史密斯圆图:如何放置复阻抗、读取反射与驻波比、沿传输线旋转,并用串并联元件走到匹配中心。
从‘为什么万用表测不到 75 Ω’出发,用六个章节建立传输线的完整直觉:传播、分布参数、反射、驻波、四分之一波长变换、测量与天线。
Opto-Electronic Advances 论文精读:上科大团队用人造规范场(正弦轨迹调制)叠加波导宽度失配,在 SOI 上做出中心距 750 nm 的半波长间距密集波导阵列,C 波段实测串扰低于 −20 dB;同一机制反过来把耦合色散抵消,得到 60:40 / 70:30 的无色散分光器,并集成出 FoV 120°×14.5°、旁瓣低于 −17 dB 的二维光学相控阵。含英文原文完整转载(7 图 5 式)与中文结构化解读,其中我逐项复算了 Eq. (2) 的 Bessel 论证——原文把 a 定义式里的折射率标为衬底折射率,但数值自洽要求它是模式有效折射率(≈2.44)。
Vikram Sekar 实地探访 Avicena 后的第一手观察报告(原文为付费文章,本站仅转载公开段):GaN 蓝光 microLED 量产 3–3.5 Gbps、实验室 8 Gbps 仍是自由空间短链路;色散把 reach 锁在约 10 m,因此真正的竞争者是铜而不是光——1–3 pJ/bit 换来三倍于线性有源铜缆的距离。作者反对厂商 30–50 m 的距离宣传。含英文原文公开段(8 张配图)与中文深度解读(含色散量级复核、铜缆 reach 交叉核对与付费墙缺口的结构性影响)。
Vikram Sekar 从第一性原理拆解 MicroLED 与 DFB 激光器之争:线宽经色散决定脉冲展宽、进而锁死单通道速率上限。DFB 线宽 0.001nm 量级而 MicroLED 达 40nm——差 4 到 5 个数量级,故 MicroLED 需 400 条通道(20×20×2Gbps)才能凑出 800G,而 DFB EML 只需 4 条。作者的算例我重新验算过:第二例存在 ps/ns 单位口径不一致,偏保守约三个数量级。含英文原文完整转载(8 张配图)与中文深度解读。
通读 Hello China Tech(Poe Zhao)对 WAIC 2026 超节点全景的分析:竞争单元已从芯片上移到系统,三条互连路线(铜缆约 3 m 撞墙/正交背板 64 加速器每柜/NPO 仍在原型)各赌一个约束;HBM 与先进封装是最大缺口,Ascend 910C 拆解仍见 Samsung 与 SK Hynix 的 HBM2E;设施层租赁率 NVIDIA 高于 90%、国产低于 50%。含英文原文完整转载(5 张配图)与中文深度解读。
Silicon Co-Design 的 CPO 全栈综述精读:从 scale-out 到 scale-up,逐层拆解封装架构(12 种集成方案、混合键合每次装配良率 W2W 98–99% / D2W 90–95%)、PIC 材料(SOI 带宽锁死 56–60GHz、SiN 5eV 带隙、TFLN 的锂污染前道禁令、BTO 圣杯的真正门槛是可制造性)与电域瓶颈(EIC driver 常是带宽短板)。含英文原文公开段(22 张配图)与中文深度解读。原文为付费文章,本站仅转载公开部分。
通读 arXiv:2510.03215(ICLR 2026 已接收)全文:C2C 用一个神经网络把源模型的 KV-Cache 投影融合进目标模型,让模型之间绕过文本直接交换语义。准确率较单模型提升 6.4-14.2%、较文本通信提升 3.1-5.4%,延迟平均快 2.5 倍。含英文原文全文(15 张表、13 组图)与中文结构化解读。